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半導(dǎo)體制造中必要的微量氣體微量氧檢測與控制

日期:2025-07-03 07:37
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摘要:制造半導(dǎo)體所用的特殊氣體必須是離純度的,因為這一過程非常**。即使存在萬億分之一的微量雜質(zhì),也會導(dǎo)致整批晶圓的損失。在這些應(yīng)用中,關(guān)鍵參數(shù)的可靠、可重復(fù)測量(檢測下限小于100PPT)至關(guān)重要。我們?yōu)槟峁┧嘘P(guān)鍵微量雜質(zhì)的可靠測量,許多參數(shù)的檢測水平低至十億分之一。您可以從單一供應(yīng)商提供的完整解決方案中獲得方便和安心。為了更加方便,還可以使用單個分析儀系統(tǒng)進行多種微量雜質(zhì)測量。

                 

監(jiān)測和控制特殊氣體中微量雜質(zhì)的完整解決方案

我們的氧氣和水分分析儀和傳感器,連同過程氣相色譜儀,提供了一個完整的解決方案來監(jiān)測和控制惰性氣體、特殊氣體和有毒氣體的純度,如:氮氣(N2)、氦氣(He)、氬氣(Ar)、氧氣(O2)、氫氣(H2)、六氟化鎢(WF6)、八氟環(huán)丁烷(C4F8),硅烷(SiH4)、鍺烷(GEH4)、一氧化二氮(N2O)和三氟化氮(NF3)。


產(chǎn)品選擇

高純氣體中的微量氧

應(yīng)用/服務(wù) 測量范圍 測量氣體/背景氣 推薦產(chǎn)品
高純氣體中氧污染的監(jiān)測 0-100ppb N2, H2, Ar PI2-UHP100 & PI2-MS1000
監(jiān)測大氣釬焊和退火銅膜用高純氫**劑氣體的氧污染 0-100ppb O2 N2, H2, Ar PI2-UHP100 & PI2-MS1000

樣氣雜質(zhì)

樣氣 范圍 AR(ldl) H2(ldl) CO2(ldl) NMHC(ldl) N2 CO(ldl) CH4(ldl)
0-500ppb 80ppt 95ppt 95ppt 100ppt 85ppt 95ppt 95ppt
0-500ppb x 100ppt 95ppt 100ppt 95ppt 95ppt 95ppt
0-500ppb 80ppt 100ppt 100ppt 100ppt 100ppt 100ppt 100ppt
0-500ppb 95ppt x 95ppt 100ppt 90ppt 95ppt 95ppt
0-500ppb 80ppt 95ppt 95ppt 100ppt x 95ppt 100ppt

檢測下限

注:噪音水平是基于使用氦保護氣體的噪聲峰值

組分 濃度 (ppb) 峰高 (mV) 噪音(mV) LDL (3 倍噪音) (ppt)
1.335 5.056 0.056 44ppt
二氧化碳 1.108 4.304 0.118 91ppt
非甲烷總烴 1.057 4.068 0.072 56ppt
1.661 4.906 0.056 57ppt
一氧化碳 0.885 3.605 0.113 83ppt
甲烷 1.060 4.635 0.057 40ppt



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